25LC512
2.10
CHIP ERASE
The CHIP ERASE instruction will erase all bits (FFh) in
the array. A Write Enable ( WREN ) instruction must be
given prior to executing a CHIP ERASE . This is done
by setting CS low and then clocking out the proper
instruction into the 25LC512. After all eight bits of the
instruction are transmitted, the CS must be brought
high to set the write enable latch.
The CHIP ERASE instruction is entered by driving the
CS low, followed by the instruction code (Figure 2-10)
onto the SI line.
The CS pin must be driven high after the eighth bit of
the instruction code has been given or the CHIP
ERASE instruction will not be executed. Once the CS
pin is driven high the self-timed CHIP ERASE instruc-
tion begins. While the device is executing the CHIP
ERASE instruction the WIP bit in the STATUS register
can be read to determine when the CHIP ERASE
instruction is complete.
The CHIP ERASE instruction is ignored if either of the
Block Protect bits (BP0, BP1) are not 0, meaning ?,
?, or all of the array is protected.
FIGURE 2-10:
CHIP ERASE SEQUENCE
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
1
1
0
0
0
1
1
1
High-Impedance
SO
DS22065C-page 16
? 2010 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料
25LC640-E/P IC EEPROM 64KBIT 2MHZ 8DIP
25LC640A-E/P IC EEPROM 64KBIT 10MHZ 8DIP
281708-4 PLUG HE14 IDC 90 4 P TUBE
281709-4 PLUG HE13 IDC 90 4 P AWG 24
281711-2 PLUG HE14 IDC 90 2 P TUBE
281783-8 PLUG HE14 IDC 180 8 P AWG 26-24
281784-5 PLUG HE13 IDC 180 5 P AWG 26-24
281786-8 PLUG HE14 IDC 180 8 P AWG 28-26
相关代理商/技术参数
25LC512-E/P 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC512-E/SM 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC512-E/SN 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC512-I/MF 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 64KX8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC512-I/P 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 64Kx8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC512-I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:SERIAL EEPROM IC
25LC512-I/S16K 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k, 64K X 8 , 2.5V SER EE IND, DIE in WAFFLE PK RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC512-I/SM 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 64KX8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8